韓國首爾2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*樣品，這是目前業(yè)界最快的服務器DRAM產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達8Gbps，較之目前DDR5產品4.8Gbps提高了80%以上。
* DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標準，主要應用于服務器和客戶端，目前已經發(fā)展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產品，將多個DRAM組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內存列。
*內存列(RANK) ：從DRAM模塊向CPU傳輸數據的基本單位。一個內存列通常可向CPU傳送64字節(jié)(Byte)的數據。
該MCR DIMM產品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發(fā)該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。
SK海力士技術團隊在設計產品時，以英特爾MCR技術為基礎，利用安裝在MCR DIMM上的數據緩沖器(data buffer)*同時運行兩個內存列。
*緩沖器(Buffer) ：安裝在內存模塊上的組件，用于優(yōu)化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。主要安裝在對性能和可靠性要求較高的服務器模塊中
傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節(jié)的數據，而在MCR DIMM模塊中，兩個內存列同時運行可向CPU傳輸128個字節(jié)的數據。每次傳輸到CPU的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍。
該產品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發(fā)到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。
SK海力士DRAM產品策劃擔當副社長柳城洙認為這款產品的成功開發(fā)取決于不同技術的結合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模塊設計能力與英特爾卓越的Xeon處理器、瑞薩電子的緩沖器技術融為一體。為確保MCR DIMM的穩(wěn)定運行，模塊內外數據緩沖器和處理器能夠順暢交互至關重要。"
數據緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個信號，服務器CPU則負責接受和處理來自緩沖器的信號。
柳副社長還表示："開發(fā)出業(yè)界速度最快的MCR DIMM充分彰顯了SK海力士DDR5技術的又一長足進步。我們將繼續(xù)尋求突破技術壁壘，鞏固在服務器DRAM市場的領導地位。"
英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特爾與SK海力士在內存創(chuàng)新、針對服務器的高性能、可擴展的DDR5領域處于領先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。
"此次采用的技術源于英特爾和關鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾Xeon處理器可提供的帶寬。我們期待該技術能夠應用到未來的英特爾Xeon處理器上，支持業(yè)界的標準化和多世代開發(fā)。"
瑞薩電子副總裁兼Memory Interface部門長Sameer Kuppahalli表示，該數據緩沖器從構思到實現產品化歷經三年，"對于能夠攜手SK海力士和英特爾將該技術轉化為優(yōu)秀的產品，我們深感自豪。"
SK海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動下， MCR DIMM的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產該產品。
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