韓國首爾2023年10月25日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）25日宣布， 公司開始推進"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移動DRAM中可實現9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近獲得了將LPDDR5T DRAM適用于美國高通技術公司（Qualcomm Technologies，以下簡稱高通）最新第三代驍龍8移動平臺（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的業內首次認證。
SK hynix LPDDR5T
*LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是用于智能手機和平板電腦等移動端產品的DRAM規格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運行特征。規格名稱附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新規格為第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發而成。LPDDR5T是SK海力士業內首次開發的產品，是第八代LPDDR6正式問世之前，將第七代LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。
自今年1月開發出LPDDR5T DRAM以來，SK海力士與高通進行了兼容性驗證合作。兩家公司在結合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代驍龍8移動平臺的智能手機上進行驗證得出，兩款產品都發揮出了優秀的性能。
SK海力士強調："公司的LPDDR5T DRAM成功完成與全球權威通信芯片公司高通等主要移動AP（Application Processor）供應商的性能驗證，今后移動設備中LPDDR5T DRAM的布局將迅速擴大。"
公司計劃向客戶提供以LPDDR5T DRAM單品芯片結合而成的16GB（千兆）容量套裝產品。該產品的數據處理速度為每秒77GB，其相當于1秒內可處理15部全高清（Full-HD，FHD）級電影。
另外，LPDDR5T DRAM可在國際半導體標準化組織（JEDEC）規定的最低電壓標準范圍1.01~1.12V（伏特）下運行，在功耗方面也具備了優勢。
SK海力士技術團隊在開發該產品的過程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工藝，在運行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM問世前，LPDDR5T DRAM在移動DRAM市場上占據很大比重。
*HKMG：在DRAM晶體管內的絕緣膜上采用高K柵電介質，在防止漏電的同時還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內存速度，還可降低功耗。SK海力士于去年11月在移動DRAM上全球首次采用了HKMG工藝。
高通技術公司產品管理高級副總裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代驍龍8產品可以低功耗下無延遲驅動生成型AI為基礎的大語言模型（LLM）和大視覺模型（LVM）。驍龍移動平臺和SK海力士的最高速移動DRAM相結合，智能手機用戶將能夠體驗驚人的AI功能。"
SK海力士DRAM商品企劃擔當副社長柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功滿足了全球客戶對超高性能移動DRAM需求，對此感到很高興。"
柳副社長還補充道："預計今后智能手機將成長為驅動AI技術的核心應用。為此，需要通過移動DRAM持續提高智能手機的性能，公司將繼續加強與高通的合作，努力提高該領域的技術能力。"
Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated.
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關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態隨機存取存儲器），NAND Flash（NAND快閃存儲器）和CIS（CMOS圖像傳感器）等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多，請點擊公司網站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。
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