• 擁有當前業界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發成功到量產僅用七 個月
• HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現加速計算（accelerated computing）
• SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位
  

首爾2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士（或稱“公司”，www.skhynix.com）宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。

* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存，其數據處理速度大幅領先于傳統 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 產品，此前三代分別為 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。

SK海力士于去年十月宣布成功開發出業界首款 HBM3 DRAM，時隔七個月即宣布開始量產，這有望進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位。

隨著人工智能和大數據等尖端技術的加速發展，全球主要科技企業正在探索創新方法，以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統 DRAM，HBM 在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢，有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。

英偉達（NVIDIA）在近日完成了對 SK海力士 HBM3 樣品的性能評估。SK海力士將向英偉達系統供應 HBM3，而該系統預計將在今年第三季度開始出貨。SK海力士也將按照英偉達的計劃，在今年上半年增加 HBM3 產量。

備受期待的英偉達 H100 被認為是當前全球范圍內最大、性能最強的加速器。SK海力士的 HBM3 帶寬可達 819GB/s，有望增強加速計算的性能。這個帶寬相當于能夠在每秒傳輸 163 部全高清（Full-HD）電影（每部影片約 5GB）。

SK海力士社長（事業總管）盧鐘元表示，與英偉達的緊密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市場穩獲一流的競爭力。“我們的目標是通過持續、開放式協同合作，成為洞悉和解決客戶需求的解決方案提供商（Solution Provider）。”

關于SK海力士

SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。