北京2025年4月25日 /美通社/ -- 作為射頻和無線通信設計領域的盛會，EDICON 2025于4月23-24日在北京召開，吸引了國內外領先的射頻和設計公司出席。三安作為射頻前端芯片制造平臺的代表企業(yè)，受邀出席并做技術報告，與到場的設計工程師和系統(tǒng)集成商分享當下無線通信市場的應用趨勢思考，以及最新的射頻工藝進展。

在全球智能手機市場出貨增長趨緩的大背景下，消費者對終端的性能需求持續(xù)高漲，催生出大約1200億人民幣的射頻前端市場 ，其中本地化AI、5G新應用和模組化趨勢都在需求更多更好的射頻前端器件。三安憑借在砷化鎵材料多年的外延研發(fā)經(jīng)驗，持續(xù)迭代砷化鎵射頻工藝能力，支持設計客戶在新技術時代的產(chǎn)品升級；以平臺化的制造服務能力，從系統(tǒng)層面提升客戶設計效率和產(chǎn)品競爭力。

新應用要求智能手機在更高頻段中承載更多的數(shù)據(jù)流量，因此射頻前端器件必須具備更高的功放效率和更好的線性度，復雜工況下進一步要求器件具備足夠好的頑健性。三安第三代砷化鎵HBT工藝HP36/56采用三安自主開發(fā)外延，改善電容結構，以提升器件可靠性；在測試條件下，相比前代工藝的功放效率提升約3%，其中HP36為高階5G應用定向開發(fā)了高線性度能力，HP56則是為復雜應用增強了器件的頑健性。

為適應射頻前端設計的模組化趨勢，三安砷化鎵工藝平臺提供銅柱工藝以支持器件進行倒裝封裝，優(yōu)化射頻器件尺寸，提升系統(tǒng)效率；銅柱工藝全面采用激光切割工藝，可以進一步縮小銅柱間隙，為客戶未來設計需求儲備技術能力。同時，三安提供的濾波器也為客戶的高階模組設計提供支持，采用鍵合TC-SAW技術路線，具備向1612以下尺寸快速迭代的能力；在封裝端采用WLP封裝形式，進一步滿足模組設計的集成化需求。

三安將持續(xù)投入砷化鎵材料和射頻器件工藝研發(fā)，持續(xù)關注市場趨勢和客戶需求，以穩(wěn)定的供應和質量管理支持客戶產(chǎn)品迭代，與行業(yè)客戶共同推進無線通信技術變革，加速高能效通信網(wǎng)絡時代的到來。