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可將交流/直流電源適配器體積縮小一半
上海2023年12月1日 /美通社/ -- 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET) 全系列產品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
德州儀器高電壓電源部總經理 Kannan Soundarapandian 表示："如今，消費者需要更小、更輕、更便攜，同時還能快速充電的高能效電源適配器。借助我們發布的新品，設計人員可將低功耗 GaN 技術的功率密度優勢應用到更多消費者日常使用的產品中，如手機和筆記本電腦適配器、電視電源裝置和 USB 墻壁插座。此外，德州儀器的產品組合還能滿足電動工具和服務器輔助電源等工業系統對高效率緊湊型設計日益增長的需求。"
帶集成柵極驅動器的全新 GaN FET 產品組合包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626，提供業界超精確的集成電流檢測功能。與使用分立式 GaN 和硅 FET 的傳統電流檢測電路相比，由于集成電流檢測功能，無需再連接外部分流電阻器，同時可將相關功率損耗降低高達 94%，幫助設計人員大幅提高效率。
大幅提高能效并簡化散熱設計
TI 帶集成柵極驅動器的 GaN FET 可實現更快的開關速度，有助于防止適配器過熱；還支持設計人員將小于 75W 的交流/直流應用的系統效率提升至 94%，將大于 75W 的交流/直流應用的系統效率提升至 95% 以上。與硅基解決方案相比，我們的全新器件可幫助設計人員將典型 67W 電源適配器解決方案的尺寸縮小多達 50%。
該產品組合還針對交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構（如準諧振反激式、非對稱半橋反激式、電感-電感轉換器、圖騰柱功率因數校正和有源鉗位反激式）進行了優化。
長期投資氮化鎵制造
德州儀器的自有制造歷史悠久、遍及全球且呈現區域多元化的特點，在全球 15 個制造基地中包括多家晶圓制造廠、封裝測試廠以及凸點加工廠和晶圓測試廠。十年多來，德州儀器一直致力于研究與發展氮化鎵技術。
德州儀器計劃到 2030 年自有制造 90% 以上的產品，因此，在未來數十年內能為客戶提供更可靠的產能。
封裝和供貨情況
TI.com/GaN 現已提供可量產的 LMG3622 和 LMG3626 器件和預量產的 LMG3624 器件。
關于德州儀器（TI）
德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）是一家全球性的半導體公司，致力于設計、制造、測試和銷售模擬和嵌入式處理芯片，用于工業、汽車、個人電子產品、通信設備和企業系統等市場。我們致力于通過半導體技術讓電子產品更經濟實用，創造一個更美好的世界。如今，每一代創新都建立在上一代創新的基礎之上，使我們的技術變得更小巧、更快速、更可靠、更實惠，從而實現半導體在電子產品領域的廣泛應用，這就是工程的進步。這正是我們數十年來乃至現在一直在做的事。欲了解更多信息，請訪問公司網站www.ti.com.cn。
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