高質量DesignWare接口和模擬IP經過優化，可在人工智能、云計算和移動芯片中實現高性能和低功耗
加州山景城2019年6月27日 重點：
新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作，針對GF的12納米領先性能(12LP) FinFET工藝技術，開發覆蓋面廣泛的DesignWare® IP組合，包括多協議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express® 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉換器。新思科技基于GF 12LP工藝的DesignWare IP使設計人員能夠借助GF的12LP技術，在其人工智能(AI)、云計算、移動和消費片上系統(SoC)中實現最新的接口和模擬IP解決方案。與前幾代FinFET相比，12LP技術在邏輯密度上提高了10%，性能提高了15%以上。基于兩家公司長期伙伴關系，雙方已聯手開發出針對GF從180納米到12納米工藝的DesignWare IP。
GF生態系統副總裁Mark Ireland表示：“為了滿足對差異化、功能豐富的FinFET產品日益增長的需求，我們正在與新思科技合作，在GF的工藝中提供高質量的IP，使設計人員能夠將差異化產品推向廣泛的細分市場。我們的12LP工藝與3D FinFET晶體管技術和新思科技高性能DesignWare IP的結合，使我們的共同用戶能夠加速實現量產?！?/p>
新思科技IP營銷副總裁John Koeter表示：“作為接口IP的領先供應商，新思科技繼續與GF等主要代工廠合作，提供面向最新FinFET工藝技術的DesignWare IP解決方案。通過新思科技針對GF 12LP工藝的DesignWare IP組合，設計人員能夠有效地將必要的功能整合進復雜的芯片中，同時滿足其移動和高端計算應用的帶寬和功耗要求。”
上市
DesignWare多協議25G PHY和 ADC/DAC轉換器IP解決方案現已上市。DesignWare USB 3.0和2.0、PCI Express 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY和SD-eMMC IP解決方案正在開發中，計劃于2019年下半年上市。
