一.SiC和GaN功率半導體銷售額將大幅增長

　　近期國際電子電力行業的相關市場一直圍繞著“光伏”這個話題展開激烈的探討，有些國家會借此機會加大對光伏市場的調整，重新規范光伏市場這個即將崛起的領域。

　　其中據有關報告預測，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。也就是說，在未來十年半導體市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。

　　在未來幾年里，受到電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求等眾多因素的驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長

　　二.專家分析SiC和GaN功率半導體的增長預測

　　在預測增長的產品中GaN是一種擁有類似于SiC性能優勢的寬帶隙材料，并且GaN功率半導體則剛剛進入市場，擁有更大的成本控制潛力。

　　而另一SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。SiC肖特基二極管，已存在十多年，

　　經過市場的調查分析，氮化鎵上硅設備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實現平價和同等性能，至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關。

　　預測至2022年這一數字將增加近一倍的SiC肖特基二極管在去年的銷售額超過1億美元，是目前最暢銷的SiC或GaN設備。

　　相比之下其依靠穩定的可靠性、價格及性能的優勢，SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預計僅達到SiCMOSFET的一半。屆時SiCMOSFET銷售額預計將達到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設備類型。

　　雖然IHS預測SiC和GaN市場未來幾年增長強勁，但與一年前相比，仍是有些小幅度的降低，這一變化的主要原因在于全球經濟的低迷現狀使市調機構調低了對功率組件設備的出貨量預測。SiC采用率預測也被大幅調低，因為設備價格并未如此前預測那樣快速下跌。

　　根據市場的導向以及各大廠商對未來市場主流發展的預測，業界更多青睞GaN技術，越來越多公司已宣布進行GaN研發，加大對GaN研發的投資。其中著名的Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設備JEDEC資格的公司，為GaN的發展起了一個先鋒的示范作用。