中微半導體設備（上海）股份有限公司在南昌舉辦新廠落成儀式，宣布其旗下全資子公司南昌中微半導體設備有限公司的生產研發基地項目正式建成并投入使用。占地約130畝、總建筑面積約14萬平方米的南昌中微新廠的落成，進一步提升了公司產品研發及生產能力，是中微公司發展歷程中重要的里程碑。

中微公司南昌生產研發基地項目于2019年啟動建設，占地面積約130畝，目前已投產的一期項目建筑面積約14萬平方米。基地配備行業領先的實驗室、潔凈度達十級的高標準潔凈室、先進的生產車間及高效的物流倉儲中心，為公司進一步擴充高端設備產能、不斷提升研發能力和科技創新水平提供有力支撐。此外，基地還為員工提供舒適的辦公環境與休閑生活區域，員工宿舍、游泳池、健身房、羽毛球館和籃球場等完善的配套設施，不僅有助于提升整體工作效率與組織活力，也讓員工在工作之余享受舒適品質生活。

中微公司董事長兼總經理尹志堯博士表示：“南昌生產研發基地的落成是中微公司深耕高端微觀加工設備領域，持續增強研發和生產能力的里程碑，為今后匯聚發展勢能，實現跨越突破開辟了嶄新局面。未來，我們將持續推進技術進步并推動產業發展，不斷為客戶和市場提供有競爭力的高端設備產品；深入落實三維發展戰略，通過有機生長和外延拓展，盡快發展成為國內外一流的半導體設備和高科技領先企業！”

中微公司于2017年落戶南昌高新區，成立全資子公司南昌中微，并于2018年9月順利實現量產。南昌中微生產的用于 LED和功率器件外延片生產的 MOCVD 設備持續獲得客戶與市場的廣泛認可。2021年，南昌中微推出了為Mini-LED量產而設計的Prismo UniMax® MOCVD設備主要用于氮化鎵（GaN）基Mini LED外延片量產，同年其設備訂單超100腔，并入選江西省科技成果轉化十大典型案例。目前，中微公司開發的MOCVD設備在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據優勢地位，部分產品在細分領域市占率達到全球排名第一。

中微公司開發的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工微米級和納米級的各種器件。微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用，中微公司開發的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據領先地位。（美通社頭條）