江波龍電子嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產化內存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒，這標志著中國存儲在質量上開始參與市場競爭。

FORESEE國產化內存的核心DRAM率先采用長鑫存儲的10nm級最新版本8Gb顆粒，該顆粒已通過江波龍電子EVT完整的顆粒級測試。

在主頻方面，F(xiàn)ORESEE國產化內存的頻率為2666MHz，綜合對比已達到國際一線水平。在設計架構上，均采用8Gb顆粒，速度和穩(wěn)定性均有了很大的提升。

2019年9月，長鑫存儲發(fā)布與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR4。目前，長鑫存儲正使用其 10G1 技術來制造8Gb DDR4 存儲器芯片，經過多次迭代和優(yōu)化，其工藝已進入國際化主流水平，其技術突破和自主制造已達到行業(yè)一流。

（美通社,2020年11月23日深圳）